题名:CMOS模拟集成电路设计
作者:(美) Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg著
出版年:2011
ISBN: 978-7-121-12680-2
分类号: TN432
中图分类: 场效应型
定价: 75.00元
页数: 644 页
出版社: 电子工业

《CMOS模拟集成电路设计(第2版)》是模拟集成电路设计课程的一本经典教材,作者从CMOS技术的前沿出发,结合丰富的工程和教学经验,对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述,阐述了分层设计的方法。全书共分十章,主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识,CMOS技术,器件模型,以及主要模拟电路的原理和设计,包括CMOS基本单元电路(MOS开关、MOS二极管、有源电阻、电流漏、电流源、电流镜、带隙基准源、基准电流源和电压源等),放大器,运算放大器,比较器,开关电容电路,D/A和A/D转换电路。《CMOS模拟集成电路设计(第2版)》通过大量设计实例阐述设计原理,将理论与实践融为一体,同时还针对许多工业界人士的需求和问题进行了分析和解释,因而《CMOS模拟集成电路设计(第2版)》不仅可以用做大专院校相关专业高年级本科生和研究生的教材,也可以作为半导体和集成电路设计领域技术人员很有价值的参考书。