题名:IGBT场效应半导体功率器件导论
作者:袁寿财著
出版年:2008
ISBN: 978-7-03-020041-9
分类号: TN386.2
中图分类: 绝缘栅场效应器件
定价: 38.00元
页数: 209 页
出版社: 科学出版社

《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线,系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识。内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺等。重点讨论IGBT,同时对其它器件如IGCT、CoolMOS、IGCT等也作了简单介绍。书中注意强调基础理论的阐述,并适当吸收该领域近期的研究报道,各章后都附有相关参考文献,在书的最后还附有主要参考书目和贯穿全书统一使用的符号表。