《纳米CMOS电路和物理设计》内容简介：新技术的快速发展与纳米级缩小的挑战正促使原先相互分离的电路设计、工艺技术、器件物理和物理实现组合在一起形成一门学科。深刻地理解器件、互连和组装方面包含的物理限制对设计电路系统和器件以及做出合理的技术决定都是非常重要的。《纳米CMOS电路和物理设计》一书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现整合到一起，形成了一套先进的半导体技术。这本内容广泛的书探讨了器件和工艺的新发展，提供了设计考虑，重点关注了技术与设计的相互影响，如信号完整性和互连：并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括：<br />纳米CMOS工艺缩小问题及其<br />对设计的影响<br />亚波长光刻<br />运行问题的物理与理论以及<br />解决方案<br />可制造性设计和波动性<br />《纳米COMS电路和物理设计》对集成电路设计者和该领域的专业人员是一本非常有用的书.给他们提供了实际的设计方案和方法。

BAN P，WONG，担任了5年的IEEE国际固态电路会议技术程序委员会委员，并担任会议的主席，共同主席和小组会议的组织者。他拥有三项授权专利，并率领电路设计团队开发高性能、低功耗微处理器方法学与实施技术。他目前是NVIDlD A公司的高级工程经理。ANURAG MOTTAL。获得耶鲁大学应用物理博士。他参与了新型嵌入式NVM微处理器和微处理器解决方案的联合开发，包括世界上第一个与CMOS兼容的实用闪存技术。目前为Virage Logic公司的高AT程师。YU CAO，获得加州大学伯克利分校电气T程博士。现为伯克利无线研究中心的博士后研究人员。