题名:模拟CMOS集成电路设计 : 简编版
作者:(美) 毕查德·拉扎维著
出版年:2013
ISBN: 978-7-5605-5081-7
分类号: TN432
中图分类: 场效应型
译者: 陈贵灿, 程军, 张瑞智
定价: 55.00元
页数: 335 页
出版社: 西安交通大学出版社
装订: 平装

本书主要内容包括:模拟电路设计绪论;MOS器件物理基础;单级放大器;差动放大器;无源与有源电流镜;放大器的频率特性等。

毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位,并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成、高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。
拉扎维教授分别于1992年到1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)和1995年在斯坦福大学任副教授。他是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员,在其中担任模拟小组委员会的主席。此外,他还分别担任IEEE固体电路杂志、IEEE电路和系统杂志及高速电子学国际杂志的特邀编辑和副编辑。
拉扎维教授于1994年因为卓越的编辑能力获ISSCC的 Beatrice奖,1994年在欧洲固体电子会议上获最佳论文奖,1995年和1997年ISSCC的最佳专题小组奖,1997年TRW创新教学奖,1998年IEEE定制集成电路会议最佳论文奖。他是《数据转换系统设计原理》(IEEE出版,1995)和《RF 微电子学》(Prentice Hall出版,1998)的作者,以及《单片锁相环和时钟恢复电路》(IEEE出版,1996)的编者。