《抗辐射集成电路概论》论述抗辐射集成电路方面的知识。《抗辐射集成电路概论》共分10章，主要内容包括辐射环境、辐射效应、抗辐射双极集成电路设计、抗辐射mos集成电路设计、微处理器加固技术、存储器加固技术、fpga加固技术、模型参数、集成电路抗辐射性能评估。<br />《抗辐射集成电路概论》可作为高等学校电子科学与技术类专业选修教材，或从事相关研究的科技人员的参考书。

韩郑生，长期从事半导体工艺技术、集成电路设计研究工作。主要研究方向为可靠性SOl CMOS集成电路技术。研究内容包括SOl CMOST艺技术开发、静态随机存储器(SRAM)电路设计、集成电路抗辐射性能研究。